Samsung Semiconductor - KLMBG4GESD-B04Q

KEY Part #: K7360044

[22160ცალი საფონდო]

Ნაწილი ნომერი:: KLMBG4GESD-B04Q

მწარმოებელი:: Samsung Semiconductor

Დეტალური აღწერა:: eMMC 5.1 32 GB 1.8 / 3.3 V HS400 11.5 x 13 x 1.0 mm -40 ~ 85 °C Mass Production.

Manufacturer's standard lead time:: Საწყობში

შენახვის ვადა:: Ერთი წელი

ჩიპი From:: ჰონგ კონგი

RoHS:

Გადახდის საშუალება:

გადაზიდვის გზა:

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: LPDDR4, DDR3, LPDDR4X, DDR4, LPDDR5, HBM Aquabolt, SLC Nand and GDDR5 ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Samsung Semiconductor KLMBG4GESD-B04Q electronic components. KLMBG4GESD-B04Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for KLMBG4GESD-B04Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

KLMBG4GESD-B04Q პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : KLMBG4GESD-B04Q

მწარმოებელი : Samsung Semiconductor

აღწერა : eMMC 5.1 32 GB 1.8 / 3.3 V HS400 11.5 x 13 x 1.0 mm -40 ~ 85 °C Mass Production

სერიები : DDR3

ვერსია : eMMC 5.1

სიმჭიდროვე : 32 GB

Ვოლტაჟი : 1.8 / 3.3 V

Interface : HS400

შეფუთვის ზომა : 11.5 x 13 x 1.0 mm

Ტემპი. : -40 ~ 85 °C

პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

Უახლესი ცნობები

Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones

Automotive Driven by Small Packages Under the Hood

Samsung Z-SSD SZ985

Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM

An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC

[Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions

Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing

Samsung Memory Solutions for Automotive

The future of NAND technology

Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM

NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters

Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

MZPJB800HMGC

Samsung Semiconductor

SZ985 PCIe Gen3 x4 HHHL 800 GB 3400 MB/s 3000 MB/s 750K IOPS 170K IOPS Mass Production.
MZILT1T9HAJQ

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 1.92 TB 2100 MB/s 1800 MB/s 440K IOPS 46K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZILT3T8HALS

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 3.84 TB 2100 MB/s 2000 MB/s 450K IOPS 58K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZILT7T6HMLA

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 7.68 TB 2100 MB/s 2000 MB/s 400K IOPS 70K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZILT960HAHQ

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 960 GB 2100 MB/s 1000 MB/s 350K IOPS 30K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZPLL12THMLA

Samsung Semiconductor

PM1725b PCIe Gen3 x8 HHHL 12.8 TB 6300 MB/s 3300 MB/s 940K IOPS 110K IOPS 3(5yrs) Mass Production.

ცხელი ნაწილები

English საქართველო