Vishay Semiconductor Diodes Division - RS1PJHM3/85A

KEY Part #: K6444096

[2567ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    RS1PJHM3/85A
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RS1PJHM3/85A electronic components. RS1PJHM3/85A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1PJHM3/85A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RS1PJHM3/85A პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : RS1PJHM3/85A
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
    სერიები : eSMP®
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 1A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 250ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 600V
    Capacitance @ Vr, F : 9pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : DO-220AA
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-220AA (SMP)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • RJU60C2SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

    • RJU60C3SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

    • VS-50WQ06FNTRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-30WQ10FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.