GL41GHE3/97 ფასები (აშშ დოლარი) [695844ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.05316
- 10,000 pcs$0.04817
- Ნაწილი ნომერი:
- GL41GHE3/97
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 400 Volt 30 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL41GHE3/97 electronic components. GL41GHE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL41GHE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GL41GHE3/97 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
GL41GHE3/97
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
სერიები :
SUPERECTIFIER®
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
400V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 1A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-213AB, MELF (Glass)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-213AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
BYM07-400-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt
-
EGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 100 Volt 50ns
-
BYM07-150-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 150 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
ცხელი ნაწილები
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR
选择你的位置