Vishay Siliconix - SI5411EDU-T1-GE3

KEY Part #: K6406001

SI5411EDU-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [1471ცალი საფონდო]

  • 3,000 pcs$0.09967

Ნაწილი ნომერი:
SI5411EDU-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI5411EDU-T1-GE3 electronic components. SI5411EDU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5411EDU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5411EDU-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI5411EDU-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 105nC @ 8V
Vgs (მაქს) : ±8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4100pF @ 6V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.1W (Ta), 31W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -50°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® ChipFet Single
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® ChipFET™ Single

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ