Infineon Technologies - IRG5U150HF12B

KEY Part #: K6533555

[4339ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IRG5U150HF12B
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IRG5U150HF12B electronic components. IRG5U150HF12B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG5U150HF12B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRG5U150HF12B პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IRG5U150HF12B
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    IGBT ტიპი : -
    კონფიგურაცია : Half Bridge
    ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
    მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 260A
    ძალა - მაქსიმუმი : 1100W
    Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 3.5V @ 15V, 150A
    მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 2mA
    შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 18nF @ 25V
    შეყვანა : Standard
    NTC თერმოსტორი : No
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : POWIR® 62 Module
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : POWIR® 62

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VS-GT175DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

    • VS-GP250SA60S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

    • VS-GT105NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

    • VS-GT105LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

    • VS-GT100NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.