Microsemi Corporation - JANTXV1N5802URS

KEY Part #: K6446641

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and დიოდები - ხიდის გასწორება ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5802URS electronic components. JANTXV1N5802URS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5802URS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N5802URS

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

სერიები : Military, MIL-PRF-19500/477

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდის ტიპი : Standard

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 875mV @ 1A

სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : 25ns

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 50V

Capacitance @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, A

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : A-MELF

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

BAT54-D87Z

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.
IDB18E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.
VS-50WQ10FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK.
VS-50WQ04FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK.
VS-30CPF02PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.
VS-80EPF02PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.

ცხელი ნაწილები