Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-30CPF02PBF

KEY Part #: K6446619

[1704ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    VS-30CPF02PBF
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორები - JFET ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-30CPF02PBF electronic components. VS-30CPF02PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-30CPF02PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-30CPF02PBF პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : VS-30CPF02PBF
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 30A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.41V @ 30A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 160ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 200V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : TO-247-3
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247AC
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • BAT54-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

    • IDB18E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

    • VS-50WQ10FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ04FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK.

    • VS-30CPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.

    • VS-80EPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.