Vishay Semiconductor Diodes Division - KBP02M-E4/45

KEY Part #: K6541721

[12281ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    KBP02M-E4/45
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    BRIDGE RECT 1P 200V 1.5A KBPM.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - JFET and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division KBP02M-E4/45 electronic components. KBP02M-E4/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for KBP02M-E4/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    KBP02M-E4/45 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : KBP02M-E4/45
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : BRIDGE RECT 1P 200V 1.5A KBPM
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Single Phase
    ტექნოლოგია : Standard
    ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 200V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.5A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 1A
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 200V
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : 4-SIP, KBPM
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : KBPM

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • DBA250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A.

    • DBG250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.6A.

    • TB4S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 400V 800MA 4TBS. Bridge Rectifiers RECT BRIDGE .8A 400V

    • TB6S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 600V 800MA 4TBS.

    • TB2S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 200V 800MA 4TBS. Bridge Rectifiers VR=200V IF(AV)=1A

    • GBJ2010-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ.