Central Semiconductor Corp - CBR10-J090

KEY Part #: K6541296

[12423ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    CBR10-J090
    მწარმოებელი:
    Central Semiconductor Corp
    Დეტალური აღწერა:
    BRIDGE RECT 1PHASE 100V 5A CM.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დენის მართვის მოდული and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Central Semiconductor Corp CBR10-J090 electronic components. CBR10-J090 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CBR10-J090, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    CBR10-J090 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : CBR10-J090
    მწარმოებელი : Central Semiconductor Corp
    აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 100V 5A CM
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Single Phase
    ტექნოლოგია : Standard
    ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 100V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 5A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.2V @ 5A
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 100V
    ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : 4-Square, CM
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : CM
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • TB8S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 800V 800MA 4TBS. Bridge Rectifiers VR=800V IF(AV)=1A

    • TB10S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 1KV 800MA 4TBS.

    • GBU8D-E3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU. Bridge Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp Glass Passivated

    • KBP08ML-6747E4/51

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.

    • KBP08M-9E4/51

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.

    • KBP08M-6E4/51

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.