Taiwan Semiconductor Corporation - TS25P07G-K C2G

KEY Part #: K6541245

[12439ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    TS25P07G-K C2G
    მწარმოებელი:
    Taiwan Semiconductor Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A TS-6P.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TS25P07G-K C2G electronic components. TS25P07G-K C2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TS25P07G-K C2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TS25P07G-K C2G პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : TS25P07G-K C2G
    მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
    აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A TS-6P
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Single Phase
    ტექნოლოგია : Standard
    ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 1kV
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 25A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 25A
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 1000V
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : 4-SIP, TS-6P
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TS-6P

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • TB8S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 800V 800MA 4TBS. Bridge Rectifiers VR=800V IF(AV)=1A

    • GBU8D-E3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU. Bridge Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp Glass Passivated

    • KBP08ML-6747E4/51

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.

    • KBP08M-9E4/51

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.

    • KBP08M-6E4/51

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.

    • KBP06ML-6161E4/72

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 600V 1.5A KBPM.