Vishay Siliconix - SISH402DN-T1-GE3

KEY Part #: K6393461

SISH402DN-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [209112ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.17688

Ნაწილი ნომერი:
SISH402DN-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SISH402DN-T1-GE3 electronic components. SISH402DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISH402DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISH402DN-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SISH402DN-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 19A (Ta), 35A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1700pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 1212-8SH
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® 1212-8SH

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VN2410L-G-P013

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • DKI10299

    Sanken

    MOSFET N-CH 100V 28A TO-252.

  • DKI06075

    Sanken

    MOSFET N-CH 60V 48A TO-252.

  • FDD1600N10ALZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3.

  • DKI10526

    Sanken

    MOSFET N-CH 100V 19A TO-252.

  • DKI06261

    Sanken

    MOSFET N-CH 60V 25A TO-252.