ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16320E-6BLA1-TR

KEY Part #: K936913

Დეტალური აღწერა:: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - V / F და F / V გადამყვანი, PMIC - LED მძღოლები, PMIC - ან კონტროლერები, იდეალური დიოდები, საათი / დრო - განაცხადის სპეციფიკური, PMIC - RMS to DC გადამყვანი, PMIC - მიმდინარე რეგულირება / მენეჯმენტი, საათი / დრო - საათის გენერატორი, PLL, სიხშირის სინ and ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-6BLA1-TR electronic components. IS46R16320E-6BLA1-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16320E-6BLA1-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : IS46R16320E-6BLA1-TR

მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

მეხსიერების ტიპი : Volatile

მეხსიერების ფორმატი : DRAM

ტექნოლოგია : SDRAM - DDR

მეხსიერების ზომა : 512Mb (32M x 16)

საათის სიხშირე : 166MHz

დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns

წვდომის დრო : 700ps

მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel

ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V

ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-TFBGA (13x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

71V30S55TFG8

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM
AT28C256E-15SU

Microchip Technology

IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP
AT28HC256E-12SU-T

Microchip Technology

IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
71V25761S183PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM
W29N04GZBIBA

Winbond Electronics

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8
W29N04GWBIBA

Winbond Electronics

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16

ცხელი ნაწილები