STMicroelectronics - SCTWA50N120

KEY Part #: K6402723

SCTWA50N120 ფასები (აშშ დოლარი) [3254ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$13.31107
  • 600 pcs$11.70018

Ნაწილი ნომერი:
SCTWA50N120
მწარმოებელი:
STMicroelectronics
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in STMicroelectronics SCTWA50N120 electronic components. SCTWA50N120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCTWA50N120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SCTWA50N120 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SCTWA50N120
მწარმოებელი : STMicroelectronics
აღწერა : MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : SiCFET (Silicon Carbide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 65A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 122nC @ 20V
Vgs (მაქს) : +25V, -10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1900pF @ 400V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 318W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 200°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : HiP247™
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BS170PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • DN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

  • GP1M007A065CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.

  • GP1M003A090C

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK.

  • GP1M003A080CH

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 800V 3A DPAK.

  • GP2M008A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK.