Vishay Semiconductor Diodes Division - GI250-1-E3/54

KEY Part #: K6458040

GI250-1-E3/54 ფასები (აშშ დოლარი) [825357ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04729
  • 5,500 pcs$0.04705

Ნაწილი ნომერი:
GI250-1-E3/54
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 1KV 250MA DO204. Rectifiers 1000 Volt 0.25 Amp High Voltage
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GI250-1-E3/54 electronic components. GI250-1-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GI250-1-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GI250-1-E3/54 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GI250-1-E3/54
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 1KV 250MA DO204
სერიები : SUPERECTIFIER®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 250mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 3.5V @ 250mA
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 2µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F : 3pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AL, DO-41, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-204AL (DO-41)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BYM07-150HE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified

  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM