Vishay Semiconductor Diodes Division - GL34B-E3/83

KEY Part #: K6457997

GL34B-E3/83 ფასები (აშშ დოლარი) [793899ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04916
  • 9,000 pcs$0.04892

Ნაწილი ნომერი:
GL34B-E3/83
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL34B-E3/83 electronic components. GL34B-E3/83 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL34B-E3/83, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL34B-E3/83 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GL34B-E3/83
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
სერიები : SUPERECTIFIER®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 500mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.2V @ 500mA
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 1.5µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-213AA (Glass)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-213AA (GL34)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • BYM07-100-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt

  • GL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34J-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • BYM07-150HE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified