Vishay Siliconix - SIHA30N60AEL-GE3

KEY Part #: K6397634

SIHA30N60AEL-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [13359ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.08490

Ნაწილი ნომერი:
SIHA30N60AEL-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FULLPA.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIHA30N60AEL-GE3 electronic components. SIHA30N60AEL-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHA30N60AEL-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHA30N60AEL-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIHA30N60AEL-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FULLPA
სერიები : EL
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2565pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 39W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220 Full Pack
პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.