GBU4B-E3/51 ფასები (აშშ დოლარი) [54057ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.63969
- 10 pcs$0.57614
- 25 pcs$0.54353
- 100 pcs$0.46309
- 250 pcs$0.43482
- 500 pcs$0.38047
- 1,000 pcs$0.29821
- 2,500 pcs$0.27764
- 5,000 pcs$0.26736
- Ნაწილი ნომერი:
- GBU4B-E3/51
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBU. Bridge Rectifiers 100 Volt 4.0 Amp Glass Passivated
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დენის მართვის მოდული and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GBU4B-E3/51 electronic components. GBU4B-E3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBU4B-E3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GBU4B-E3/51 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
GBU4B-E3/51
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBU
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Single Phase
ტექნოლოგია :
Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) :
100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1V @ 4A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 100V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
4-SIP, GBU
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
GBU
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
GBPC2502W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 200 Volt
-
GBPC2510W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt
-
VS-GBPC3512W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp
-
TS6KL60 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJL. Bridge Rectifiers 6A 600V Standard Bridge Rectif
-
DBL107G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBL. Bridge Rectifiers 1A,1000V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
-
DBL106G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL. Bridge Rectifiers 1A,800V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
ცხელი ნაწილები
- 679-5
- VUB145-16NOXT
- M2550TB600
- VBO13-14AO2
- DMA150YC1600NA
- DMA90U1800LB
- GSIB6A60L-802E3/45
- GBU8KL-5302M3/45
- GBU6DL-5300E3/51
- GBL08L-5701E3/51
- G3SBA60L-5704M3/51
- CBR1-100
- 2KBP04ML-6533E4/72
- CBR10-J080
- NSR1030QMUTAG
- CBR25-040P
- KBP01M-M4/51
- MSDM75-08
- MSDM200-08
- MSD100-18
- VSIB620-E3/45
- VSIB15A60-E3/45
- GBU8JL-5300M3/51
- GBU4JL-5707E3/45
- G2SBA80-E3/45
- 3N257-E4/45
- KBP08M-E4/51
- 3N257-E4/51
- G2SBA60-E3/51
- MB352W
- RS407L
- GBPC1206-E3/51
- RS401L-BP
- 2KBP005M-E4/51
- 111MT120KB
- 70MT140KB
- 110MT140KB
- MB108
- DF10M/45
- KBP204-BP
选择你的位置