Vishay Semiconductor Diodes Division - 3N257-E4/51

KEY Part #: K6541813

3N257-E4/51 ფასები (აშშ დოლარი) [4064ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.29267
  • 10 pcs$0.25589
  • 25 pcs$0.24062
  • 100 pcs$0.19633
  • 250 pcs$0.18236
  • 500 pcs$0.15519
  • 1,000 pcs$0.12416

Ნაწილი ნომერი:
3N257-E4/51
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - TRIACs and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 3N257-E4/51 electronic components. 3N257-E4/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 3N257-E4/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

3N257-E4/51 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 3N257-E4/51
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 3.14A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 165°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-SIP, KBPM
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : KBPM

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • E-L6210

    STMicroelectronics

    BRIDGE RECT 1P 50V 2A 16DIP.

  • GBPC15005W/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 50V 15A GBPC-W.

  • DBA250G

    ON Semiconductor

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A.

  • DBG250G

    ON Semiconductor

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.6A.

  • PBPC1007

    Diodes Incorporated

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A PBPC-8.

  • PBPC1001

    Diodes Incorporated

    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A PBPC-8.