Vishay Semiconductor Diodes Division - BYW85-TAP

KEY Part #: K6440311

BYW85-TAP ფასები (აშშ დოლარი) [242912ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.15303
  • 12,500 pcs$0.15227

Ნაწილი ნომერი:
BYW85-TAP
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64. Rectifiers 3.0 Amp 800 Volt 100 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - მასივები, დენის მართვის მოდული, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYW85-TAP electronic components. BYW85-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYW85-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYW85-TAP პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BYW85-TAP
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Avalanche
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 3A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 7.5µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : SOD-64, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOD-64
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • GP15M-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM