ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR

KEY Part #: K939955

IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR ფასები (აშშ დოლარი) [27552ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.67146
  • 1,000 pcs$1.66314

Ნაწილი ნომერი:
IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II. SRAM 1Mb 64K x 16 10ns Async SRAM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი + გადართვა, ლოგიკა - ლატჩები, მეხსიერება - კონტროლერები, ჩაშენებული - მიკროპროცესორები, ინტერფეისი - სიგნალის ბუფერები, გამეორება, გაყოფა, PMIC - ცხელი სვოპ კონტროლერები, ხაზოვანი - შემსრულებლები and PMIC - AC DC გადამყვანი, ოფლაინ გადამრთველები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR electronic components. IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : SRAM
ტექნოლოგია : SRAM - Asynchronous
მეხსიერების ზომა : 1Mb (64K x 16)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 10ns
წვდომის დრო : 10ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.4V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 44-TSOP II

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • AT28HC64B-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W9864G2JB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp T&R

  • W632GG8MB-09

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 1066MHz

  • W29N02GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 1.8V x 16bit