Winbond Electronics - W25M512JVFIQ TR

KEY Part #: K939963

W25M512JVFIQ TR ფასები (აშშ დოლარი) [27574ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.19034
  • 1,000 pcs$2.17944

Ნაწილი ნომერი:
W25M512JVFIQ TR
მწარმოებელი:
Winbond Electronics
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - მძღოლები, კონტროლერები, ინტერფეისი - სენსორი, capacitive შეხება, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, ინტერფეისი - ფილტრები - აქტიური, ინტერფეისი - მოდემი - IC და მოდულები, მონაცემთა შეძენა - ანალოგური წინა ბოლოს (AFE) and ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აპარატურა, OP Amps, ბ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Winbond Electronics W25M512JVFIQ TR electronic components. W25M512JVFIQ TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W25M512JVFIQ TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W25M512JVFIQ TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : W25M512JVFIQ TR
მწარმოებელი : Winbond Electronics
აღწერა : IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC
სერიები : SpiFlash®
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NOR
მეხსიერების ზომა : 512Mb (64M x 8)
საათის სიხშირე : 104MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : SPI
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 16-SOIC

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • AT28HC64B-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W9864G2JB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp T&R

  • W632GG8MB-09

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 1066MHz

  • W29N02GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 1.8V x 16bit