Vishay Semiconductor Diodes Division - V12P12-5300M3/86A

KEY Part #: K6441810

[3348ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    V12P12-5300M3/86A
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division V12P12-5300M3/86A electronic components. V12P12-5300M3/86A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for V12P12-5300M3/86A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    V12P12-5300M3/86A პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : V12P12-5300M3/86A
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
    სერიები : eSMP®, TMBS®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Schottky
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 120V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 12A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 800mV @ 12A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500µA @ 120V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : TO-277, 3-PowerDFN
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-277A (SMPC)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • CDBDSC3650-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

    • CDBDSC51200-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

    • VS-30EPH06-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

    • VS-E4PU6006L-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

    • VS-60APU02-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins

    • VS-60APU06PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp