თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. CDBDSC51200-G

Comchip Technology - CDBDSC51200-G

KEY Part #: K6441829

CDBDSC51200-G ფასები (აშშ დოლარი) [14190ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.90421
Ნაწილი ნომერი:
CDBDSC51200-G
მწარმოებელი:
Comchip Technology
Დეტალური აღწერა:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Comchip Technology CDBDSC51200-G electronic components. CDBDSC51200-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBDSC51200-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBDSC51200-G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : CDBDSC51200-G
მწარმოებელი : Comchip Technology
აღწერა : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Silicon Carbide Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 18A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.7V @ 5A
სიჩქარე : No Recovery Time > 500mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 0ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : 475pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-PAK (TO-252)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CDBDSC3650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

  • CDBDSC51200-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

  • VS-30EPH06-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

  • VS-E4PU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-60APU02-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins

  • VS-60APU06PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp

ცხელი ნაწილები