Ნაწილი ნომერი :
APT77N60BC6
მწარმოებელი :
Microsemi Corporation
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
77A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41 mOhm @ 44.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.6V @ 2.96mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
260nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
13600pF @ 25V
FET თვისება :
Super Junction
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
481W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-247 [B]
პაკეტი / საქმე :
TO-247-3