Microsemi Corporation - JANS1N6677UR-1

KEY Part #: K6442517

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - JFET and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation JANS1N6677UR-1 electronic components. JANS1N6677UR-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANS1N6677UR-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : JANS1N6677UR-1

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA

სერიები : Military, MIL-PRF-19500/610

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდის ტიპი : Schottky

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 40V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 200mA

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 500mV @ 200mA

სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

უკუ აღდგენის დრო (trr) : -

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 40V

Capacitance @ Vr, F : -

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

პაკეტი / საქმე : DO-213AA (Glass)

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-213AA

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 125°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

UD0506T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
RD0306T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.
GP2D010A120C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2.
GP2D006A065C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2.
GP2D005A120C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2.
STPS20M100SFP

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.

ცხელი ნაწილები