Vishay Siliconix - IRLR014PBF

KEY Part #: K6402600

IRLR014PBF ფასები (აშშ დოლარი) [87402ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.39719
  • 10 pcs$0.32747
  • 100 pcs$0.25257
  • 500 pcs$0.18707
  • 1,000 pcs$0.14966

Ნაწილი ნომერი:
IRLR014PBF
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - SCRs - მოდულები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix IRLR014PBF electronic components. IRLR014PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR014PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR014PBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRLR014PBF
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 7.7A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 8.4nC @ 5V
Vgs (მაქს) : ±10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 400pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.5W (Ta), 25W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-Pak
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CPH6354-TL-H

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • TN0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3.

  • BS170PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • GP2M005A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

  • GP2M005A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

  • GP1M016A025CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.