Vishay Siliconix - SI7405BDN-T1-E3

KEY Part #: K6406011

SI7405BDN-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [1466ცალი საფონდო]

  • 3,000 pcs$0.21927

Ნაწილი ნომერი:
SI7405BDN-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI7405BDN-T1-E3 electronic components. SI7405BDN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7405BDN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7405BDN-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI7405BDN-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 115nC @ 8V
Vgs (მაქს) : ±8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3500pF @ 6V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.6W (Ta), 33W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 1212-8
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® 1212-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ