ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43TR16128C-125KBL

KEY Part #: K939942

IS43TR16128C-125KBL ფასები (აშშ დოლარი) [27474ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.90686
  • 380 pcs$1.89738

Ნაწილი ნომერი:
IS43TR16128C-125KBL
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA. DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი, ლოგიკა - უნივერსალური ავტობუსის ფუნქციები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის კონტრ, PMIC - თერმული მენეჯმენტი, საათი / დრო - IC ბატარეები, ლოგიკა - FIFO მეხსიერება, PMIC - RMS to DC გადამყვანი and PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-125KBL electronic components. IS43TR16128C-125KBL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43TR16128C-125KBL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43TR16128C-125KBL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43TR16128C-125KBL
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR3
მეხსიერების ზომა : 2Gb (128M x 16)
საათის სიხშირე : 800MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 20ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.425V ~ 1.575V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 95°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 96-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 96-TWBGA (9x13)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • AT28HC64B-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W9864G2JB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp T&R

  • W29N02GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 1.8V x 16bit

  • W29N02GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 1.8V x 8bit