Winbond Electronics - W29N02GZBIBA

KEY Part #: K939962

W29N02GZBIBA ფასები (აშშ დოლარი) [27569ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.14895
  • 210 pcs$2.13825

Ნაწილი ნომერი:
W29N02GZBIBA
მწარმოებელი:
Winbond Electronics
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 1.8V x 8bit
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: მეხსიერება - კონტროლერები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი რეგულატორის , ჩაშენებული - მიკროპროცესორები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის რეგულ, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - სპეციალური დანიშნულებ, PMIC - მიმდინარე რეგულირება / მენეჯმენტი, მეხსიერება and PMIC - ან კონტროლერები, იდეალური დიოდები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Winbond Electronics W29N02GZBIBA electronic components. W29N02GZBIBA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W29N02GZBIBA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W29N02GZBIBA პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : W29N02GZBIBA
მწარმოებელი : Winbond Electronics
აღწერა : IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NAND (SLC)
მეხსიერების ზომა : 2Gb (256M x 8)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 35ns
წვდომის დრო : 35ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 63-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 63-VFBGA (9x11)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • AT28HC64B-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W9864G2JB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp T&R

  • W632GG8MB-09

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 1066MHz

  • W29N02GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 1.8V x 16bit