Ნაწილი ნომერი :
SI5449DC-T1-GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
3.1A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
600mV @ 250µA (Min)
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
-
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.3W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
1206-8 ChipFET™
პაკეტი / საქმე :
8-SMD, Flat Lead