Vishay Siliconix - IRF720STRRPBF

KEY Part #: K6393054

IRF720STRRPBF ფასები (აშშ დოლარი) [80893ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.48337
  • 800 pcs$0.45707

Ნაწილი ნომერი:
IRF720STRRPBF
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტირისტორები - TRIACs and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix IRF720STRRPBF electronic components. IRF720STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF720STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF720STRRPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRF720STRRPBF
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 400V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.3A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 410pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.1W (Ta), 50W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ