Vishay Semiconductor Diodes Division - BYT56J-TAP

KEY Part #: K6440220

BYT56J-TAP ფასები (აშშ დოლარი) [252078ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.14746
  • 12,500 pcs$0.14673

Ნაწილი ნომერი:
BYT56J-TAP
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64. Rectifiers 600 Volt 3.0 Amp 80 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYT56J-TAP electronic components. BYT56J-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYT56J-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYT56J-TAP პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BYT56J-TAP
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Avalanche
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.4V @ 3A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 100ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : SOD-64, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOD-64
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • SE10FG-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FJ-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FJ-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V ESD Prot SMF Rectifier

  • BYM07-200/32

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.