Ნაწილი ნომერი :
IPL65R310E6AUMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 4VSON
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
13.1A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
310 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 400µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
45nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
950pF @ 100V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
104W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Thin-Pak (8x8)
პაკეტი / საქმე :
4-PowerTSFN