Samsung Semiconductor - M471A5143EB0-CPB

KEY Part #: K7359951

[14695ცალი საფონდო]

Ნაწილი ნომერი:: M471A5143EB0-CPB

მწარმოებელი:: Samsung Semiconductor

Დეტალური აღწერა:: DDR4 SODIMM 4 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 8 EOL.

Manufacturer's standard lead time:: Საწყობში

შენახვის ვადა:: Ერთი წელი

ჩიპი From:: ჰონგ კონგი

RoHS:

Გადახდის საშუალება:

გადაზიდვის გზა:

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: LPDDR5, HBM Flarebolt, LPDDR4, GDDR6, LPDDR3, GDDR5, SLC Nand and HBM Aquabolt ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Samsung Semiconductor M471A5143EB0-CPB electronic components. M471A5143EB0-CPB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for M471A5143EB0-CPB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

M471A5143EB0-CPB პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : M471A5143EB0-CPB

მწარმოებელი : Samsung Semiconductor

აღწერა : DDR4 SODIMM 4 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 8 EOL

სერიები : DDR3

DDR : DDR4

Dimm ტიპი : SODIMM

სიმჭიდროვე : 4 GB

წოდება x Org. : 1R x 8

სიჩქარე : 2133 Mbps

Ვოლტაჟი : 1.2 V

პოსტები Pin : 260

კომპონენტი შემადგენლობა : (512M x 8) x 8

პროდუქტის სტატუსი : EOL

Უახლესი ცნობები

SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance

Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing

Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology

Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere

Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing

Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI

Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)

Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology

[Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions

Samsung Memory Solutions for Automotive

The future of NAND technology

Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

MZPJB800HMGC

Samsung Semiconductor

SZ985 PCIe Gen3 x4 HHHL 800 GB 3400 MB/s 3000 MB/s 750K IOPS 170K IOPS Mass Production.
MZILT1T9HAJQ

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 1.92 TB 2100 MB/s 1800 MB/s 440K IOPS 46K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZILT3T8HALS

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 3.84 TB 2100 MB/s 2000 MB/s 450K IOPS 58K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZILT7T6HMLA

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 7.68 TB 2100 MB/s 2000 MB/s 400K IOPS 70K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZILT960HAHQ

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 960 GB 2100 MB/s 1000 MB/s 350K IOPS 30K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZPLL12THMLA

Samsung Semiconductor

PM1725b PCIe Gen3 x8 HHHL 12.8 TB 6300 MB/s 3300 MB/s 940K IOPS 110K IOPS 3(5yrs) Mass Production.

ცხელი ნაწილები

English საქართველო