ON Semiconductor - NVMFS6B14NLWFT1G

KEY Part #: K6401795

NVMFS6B14NLWFT1G ფასები (აშშ დოლარი) [2926ცალი საფონდო]

  • 1,500 pcs$0.33612
  • 3,000 pcs$0.31294
  • 7,500 pcs$0.30134
  • 10,500 pcs$0.28975

Ნაწილი ნომერი:
NVMFS6B14NLWFT1G
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 11A DFN5.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor NVMFS6B14NLWFT1G electronic components. NVMFS6B14NLWFT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS6B14NLWFT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS6B14NLWFT1G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : NVMFS6B14NLWFT1G
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 11A (Ta), 55A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 8nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±16V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1680pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.8W (Ta), 94W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN4310A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3.

  • VN0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

  • TN5325N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • SI1471DH-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.