IXYS - IXFK80N50P

KEY Part #: K6401156

IXFK80N50P ფასები (აშშ დოლარი) [5775ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$8.62665
  • 10 pcs$7.46017
  • 100 pcs$6.34114

Ნაწილი ნომერი:
IXFK80N50P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 500V 80A TO-264.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFK80N50P electronic components. IXFK80N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFK80N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFK80N50P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFK80N50P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 500V 80A TO-264
სერიები : HiPerFET™, PolarHT™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 197nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 12700pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1040W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-264AA (IXFK)
პაკეტი / საქმე : TO-264-3, TO-264AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ