Ნაწილი ნომერი :
SSM3K35MFV,L3F
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
X34 PB-F VESM NCH S-MOS TRANSIST
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
180mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.2V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
-
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
9.5pF @ 3V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
150mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
VESM