Alliance Memory, Inc. - AS4C64M16D2A-25BINTR

KEY Part #: K939884

AS4C64M16D2A-25BINTR ფასები (აშშ დოლარი) [27168ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.68667

Ნაწილი ნომერი:
AS4C64M16D2A-25BINTR
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA. DRAM 1G, 1.8V, 64M x 16 DDR2 I Temp
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - დენის განაწილების კონცენტრატორები, დატვირთვ, PMIC - ენერგიის გაზომვა, ინტერფეისი - I / O Expanders, PMIC - ენერგეტიკის მენეჯმენტი - სპეციალიზირებული, მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი, მონაცემთა შეძენა - ADC / DAC - სპეციალური დანიშნულ, ლოგიკა - მულტივიბრატორი and ინტერფეისი - UARTs (უნივერსალური ასინქრონული მიმღე ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2A-25BINTR electronic components. AS4C64M16D2A-25BINTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C64M16D2A-25BINTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M16D2A-25BINTR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C64M16D2A-25BINTR
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR2
მეხსიერების ზომა : 1Gb (64M x 16)
საათის სიხშირე : 400MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 400ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.9V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 95°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 84-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 84-FBGA (8x12.5)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • R1LP5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM SRAM SRAM LP(256K) 256K LP

  • R1LV5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W949D2DBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz, Industrial Temp, 46nm