Ნაწილი ნომერი :
IPI120P04P404AKSA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET P-CH TO262-3
სერიები :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 340µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
205nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
14790pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
136W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO262-3-1
პაკეტი / საქმე :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA