IXYS - IXFP6N120P

KEY Part #: K6398897

IXFP6N120P ფასები (აშშ დოლარი) [13592ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.33169
  • 10 pcs$2.99940
  • 100 pcs$2.46629
  • 500 pcs$2.06634
  • 1,000 pcs$1.79971

Ნაწილი ნომერი:
IXFP6N120P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFP6N120P electronic components. IXFP6N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP6N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP6N120P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFP6N120P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB
სერიები : HiPerFET™, PolarP2™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 92nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2830pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 250W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • R8002ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM.

  • IPA80R450P7XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V 11A TO220.