Vishay Siliconix - SISS06DN-T1-GE3

KEY Part #: K6396189

SISS06DN-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [172802ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.21404

Ნაწილი ნომერი:
SISS06DN-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SISS06DN-T1-GE3 electronic components. SISS06DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS06DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS06DN-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SISS06DN-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212
სერიები : TrenchFET® Gen IV
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.38 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (მაქს) : +20V, -16V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3660pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 1212-8S
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® 1212-8S

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DMP6110SVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFI9Z24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.

  • DMG4N60SCT

    Diodes Incorporated

    MOSFET NCH 600V 4.5A TO220.

  • FDN8601

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT.

  • FDN357N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3.

  • NDS0605

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23.