Vishay Siliconix - SI7232DN-T1-GE3

KEY Part #: K6525374

SI7232DN-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [239890ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.15419
  • 3,000 pcs$0.14509

Ნაწილი ნომერი:
SI7232DN-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI7232DN-T1-GE3 electronic components. SI7232DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7232DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7232DN-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI7232DN-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.4 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 32nC @ 8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1220pF @ 10V
ძალა - მაქსიმუმი : 23W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® 1212-8 Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 1212-8 Dual

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ