Texas Instruments - CSD75205W1015

KEY Part #: K6524164

[3923ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    CSD75205W1015
    მწარმოებელი:
    Texas Instruments
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Texas Instruments CSD75205W1015 electronic components. CSD75205W1015 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD75205W1015, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    CSD75205W1015 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : CSD75205W1015
    მწარმოებელი : Texas Instruments
    აღწერა : MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
    სერიები : NexFET™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : 2 P-Channel (Dual)
    FET თვისება : Logic Level Gate
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.2A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 1A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 850mV @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 2.2nC @ 4.5V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 265pF @ 10V
    ძალა - მაქსიმუმი : 750mW
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : 6-UFBGA, DSBGA
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 6-DSBGA (1x1.5)

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ