Rohm Semiconductor - SP8M3TB

KEY Part #: K6524661

[3757ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SP8M3TB
    მწარმოებელი:
    Rohm Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Rohm Semiconductor SP8M3TB electronic components. SP8M3TB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SP8M3TB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SP8M3TB პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SP8M3TB
    მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
    აღწერა : MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Active
    FET ტიპი : N and P-Channel
    FET თვისება : Logic Level Gate
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 5A, 4.5A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 51 mOhm @ 5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 3.9nC @ 5V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 230pF @ 10V
    ძალა - მაქსიმუმი : 2W
    ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SOP

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRF5852TR

      Infineon Technologies

      MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP.

    • IRF5850TR

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP.

    • IRF5851TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP.

    • IRF5810TR

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

    • IRF5852

      Infineon Technologies

      MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP.

    • IRF5810

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP.