ON Semiconductor - NVTR0202PLT1G

KEY Part #: K6393001

NVTR0202PLT1G ფასები (აშშ დოლარი) [615595ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.06008
  • 6,000 pcs$0.05132

Ნაწილი ნომერი:
NVTR0202PLT1G
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 20V 0.4A SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - TRIACs and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor NVTR0202PLT1G electronic components. NVTR0202PLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVTR0202PLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVTR0202PLT1G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : NVTR0202PLT1G
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET P-CH 20V 0.4A SOT23
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 400mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 2.18nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 70pF @ 5V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 225mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ