Vishay Siliconix - SUM90330E-GE3

KEY Part #: K6419228

SUM90330E-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [97995ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.39901

Ნაწილი ნომერი:
SUM90330E-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 200V 35.1A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SUM90330E-GE3 electronic components. SUM90330E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUM90330E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUM90330E-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SUM90330E-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 200V 35.1A D2PAK
სერიები : ThunderFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 35.1A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37.5 mOhm @ 12.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1172pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263 (D²Pak)
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ