Diodes Incorporated - DMN3018SSS-13

KEY Part #: K6394263

DMN3018SSS-13 ფასები (აშშ დოლარი) [714012ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.05180
  • 2,500 pcs$0.04666

Ნაწილი ნომერი:
DMN3018SSS-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - JFET, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3018SSS-13 electronic components. DMN3018SSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3018SSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3018SSS-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMN3018SSS-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 7.3A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 13.2nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±25V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 697pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.4W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • ZVN4210ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

  • ZVN0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.

  • IRLIZ44G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP.

  • IRFI830G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP.