Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-VSKE91/12

KEY Part #: K6440351

VS-VSKE91/12 ფასები (აშშ დოლარი) [2485ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$16.60467
  • 10 pcs$15.49044
  • 25 pcs$14.84117
  • 100 pcs$13.44983
  • 250 pcs$12.98602

Ნაწილი ნომერი:
VS-VSKE91/12
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GP 1.2KV 100A ADD-A-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-VSKE91/12 electronic components. VS-VSKE91/12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-VSKE91/12, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-VSKE91/12 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VS-VSKE91/12
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GP 1.2KV 100A ADD-A-PAK
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 100A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.55V @ 314A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10mA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : ADD-A-PAK (3)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ADD-A-PAK®
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • GP15M-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM