Vishay Siliconix - SQJ500AEP-T1_GE3

KEY Part #: K6523149

SQJ500AEP-T1_GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [133641ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.27677
  • 3,000 pcs$0.23388

Ნაწილი ნომერი:
SQJ500AEP-T1_GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ500AEP-T1_GE3 electronic components. SQJ500AEP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ500AEP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ500AEP-T1_GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SQJ500AEP-T1_GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
სერიები : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N and P-Channel
FET თვისება : -
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 38.1nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1850pF @ 20V
ძალა - მაქსიმუმი : 48W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8 Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8 Dual

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ