Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS193S,LF(D

KEY Part #: K6442139

[3236ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    1SS193S,LF(D
    მწარმოებელი:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 1SS193S,LF(D electronic components. 1SS193S,LF(D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1SS193S,LF(D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1SS193S,LF(D პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : 1SS193S,LF(D
    მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
    აღწერა : DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 80V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 100mA
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.2V @ 100mA
    სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 4ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500nA @ 80V
    Capacitance @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : S-Mini
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 125°C (Max)

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ